مقاله انواع ترانزیستور
انواع ترانزیستور
چکیده: ترانزیستور در سال 1947 در آزمایشگاه های بل هنگام تحقیق برای تقویت کننده های بهتر و یافتن جایگزینی بهتر برای رله های مکانیکی اختراع شد.لوله های خلاء، صوت و موسیقی را در نیمه اول قرن بیستم تقویت کرده بودنداما توان زیادی مصرف می کردند و سریعا می سوختند.
در این مقاله میخوانید:
- تاریخچه ترانزیستور
- ترانزیستور چیست؟
- ترانزیستور چگونه کار می کند؟
- ترانزیستور چه کاری انجام می دهد؟
- اختراع رادیو
- مشکل آشکار سازی
- تقویت
- لامپ های خلاء یکسو ساز
- تقویت کنندگی لامپ خلاء
- ترانزیستور دوقطبی پیوندی
- انواع ترانزیستور پیوندی
- ساختار ترانزیستور پیوندی
- طرز کار ترانزیستور پیوندی
- نحوه اتصال ترازیستورها
- اتصال بیس مشترک
- اتصال امیتر مشترک
- اتصال کلکتور مشترک
- ساختار و طرز کار ترانزیستور اثر میدانی – فت
- منابع
...
فرمت فایل: DOC (ورد 2003) قابل ویرایش تعداد صفحات: 27
برای دانلود فایل اینجا کلیک کنید
گزارش کار آزمایشگاه الکترونیک ۲
گزارش کار آزمایشگاه الکترونیک ۲
این فایل گزارش بسیار کامل از آزمایشگاه الکترونیک 2 میباشد .
فهرست آزمایشات:
- پایداری نقطه کار ترانزیستور
- بررسی فیدبک در تقویت کننده ها
- تقویت کننده عملیاتی OP - AMP
- تقویت کننده های قدرت کلاس A
- تقویت کننده های قدرت کلاس B
- Audio Power Amplifire
- منابع تغذیه تنظیم شده (رگولاتور)
...
فرمت فایل: DOC (ورد 2003) قابل ویرایش
برای دانلود فایل اینجا کلیک کنید
مقاله نیمه رساناها
مقاله نیمه رساناها
مقاله نیمه رساناها، نیمرسانا ماده ای است که مقاومت ویژه آن خیلی کمتر از مقاومت ویژه عایق و در عین حال خیلی بیشتر از مقاومت ویژه رساناست، و مقاومت ویژه اش با افزایش دما کاستی می‌پذیرد. مثلا، مقاومت ویژه مس ۸-۱۰اهم – متر کوا رتز۱۰۱۲ اهم – متر، و مقاومت ویژه مواد نیمرسانای، یعنی سیلیسیم ۵/ . اهم- متر و از آن ژرمانیم ۲۳۰۰ اهم -متر در دمای c27 است. برای درک عملکرد نیمرسانا‌ها و ابزار نیمرسانا، قدری آشنایی با مفاهیم اساسی ساختار اتمی‌ماده ضروری است.
دیود نیمرسانا وسیله ای است که در مقابل عبور جریان، در یک جهت مقاومت زیاد و در جهت دیگر مقاومت کمی‌برو ز می‌دهد. دیود را به طور گستردهای و برای اهداف گوناگون در مدارهای الکترونیکی به کار می‌گیرند و اساساً شامل یک پیوند p-n است که از بلور سیلیسیوم و یا ژرمانیم تشکیل می‌شود. (شکل ب) نماد دیود نیمرسانا در شکل الف نموده شده است. جهتی که دیود در مقابل عبور جریان مخالفت کمی‌بروز می‌دهد با سر پیکان نشان داده شده است. دیود نیمر سانا نسبت به دیود گرما یونی از مزایای زیادی برخوردار است، این دیود به منبع گرم کن نیاز ندارد، بسیار کوچک تر و سبک تر است ، و قابلیت اطمینان بسیار بیشتری دارد. ژرمانیم یا سیلیسیمی که در ساخت دیود نیمرسانا به کار می‌رود باید ابتدا تا رسیدن به غلظت نا خالصی کمتر از یک جزء در ۱۰ ۱۰ جزء پالوده شود. سپس اتمهای ناخالصی مطلوب، بخشنده‌ها یا پذیرنده‌ها، به مقادیر مورد لزوم اضافه شده و ماده به شکل یک تک بلور ساخته می‌شود.
سرفصل :
- بیان ساده شده نظریه نیمرسانا
- دیودهای نیمرسانا
- دیودهای اتصال- نقطه ای
- انواع دیودها و کاربرد آنها
- ترانزیستور
- طرز کار ترانزیستور
- اتصال بیس- مشترک
- مشخصه‌های ایستایی ترانزیستور
- مشخصه استایی بیس- مشترک
- مشخصه خروجی بیس – مشترک
- مشخصه ایستایی امیتر- مشترک
- لامپهای گرمایونی
- گسیل گرمایونی
- مواد کاتود
- گرم کردن کاتود
- لامپ سه قطبی
- پارامترها و مشخصه‌های ایستایی سه قطبی
- لامپ پرتوکاتودی
- کانونی کننده مغناطیسی و انحراف مغناطیسی
- لامپهای تلویزیون رنگی
- تقویت کننده‌های سیگنال کم دامنه
- مولدهای شکل موج
- مدار نوسانی
...
برای دانلود فایل اینجا کلیک کنید
دانلود پایان نامه مهندسی برق
دانلود پایان نامه مهندسی برق بررسی تئوری و عددی نانولوله های کربنی به عنوان یک کانال در ترانزیستور های اثر میدانی
چکیده مقاله: با گذر زمان و پیشرفت علم و تکنولوژی نیاز بشر به کسب اطلاعات و سرعت پردازش و ذخیره سازی آنها به صورت فزاینده ای بالا رفته است. گوردن مور معاون ارشد شرکت اینتل در سال ۱۹۶۵ نظریه ای ارائه داد مبنی بر اینکه در هر ۱۸ ماه تعداد ترانزیستورهایی که در هر تراشه به کار می رود دو برابر شده و اندازه آن نیز نصف می¬شود .
این کوچک شدگی نگرانی هایی را به وجود آورده است. بر اساس این نظریه در سال ۲۰۱۰ باید ترانزیستورهایی وجود داشته باشد که ضخامت اکسید درگاه که یکی از اجزای اصلی ترانزیستور است به کمتر از یک نانومتر برسد. بنا بر این باید بررسی کرد، اکسید سیلیسیم به عنوان اکسید درگاه در ضخامت تنها کمتر از یک نانومتر انتظارات ما را در صنایع الکترونیک برآورده می کند یا نه. در راستای همین تحقیقات گروه دیگری از دانشمندان به بررسی نیترید سیلیکون به عنوان نامزد جدیدی برای اکسید درگاه پرداختند و نشان دادند که این ماده می تواند جایگزین مناسبی برای اکسید سیلیکون باشد .
جهت تولید ترانزیستورهای نسل امروز احتیاج به دانشی داریم که بتوانیم در ابعاد نانو تولیدات صنعتی از تراشه ها را داشته باشیم. بنا بر این توجه جوامع علمی و اقتصادی جهان بر این شاخه از علم که به فن آوری نانو معروف است، جلب شده است. در این بین نانولوله های کربنی به دلیل خواص منحصر به فرد الکتریکی و مکانیکی که از خود نشان داده اند توجه بسیاری از دانشمندان را به خود جلب کرده اند. در راستای این تحقیقات ما به بررسی خواص الکتریکی نانولوله های کربنی پرداخته ایم. بسیاری از دانشمندان بر این باور هستند که نانولوله های کربنی به دلیل قابلیت رسانش ویژه یک بعدی جای مواد سیلیکونی در تراشه های نسل آینده را خواهند گرفت
سرفصل :
- مقدمه
- مقدمهای بر کربن و اشکال مختلف آن در طبیعت و کاربرهای آن
- مقدمه
- گونه های مختلف کربن در طبیعت
- کربن بیشکل
- الماس
- گرافیت
- فلورن و نانو لوله های کربنی
- ترانزیستورهای اثر میدانی فلز اکسید نیمرسانا و ترانزیستور های اثرمیدانی نانولوله ی کربنی
- بررسی ساختار هندسی و الکتریکی گرافیت و نانولوله های کربنی
- ساختار الکترونی کربن
- اربیتال p کربن
- روش وردشی
- هیبریداسون اربیتالهای کربن
- ساختار هندسی گرافیت و نانولوله ی کربنی
- ساختار هندسی گرافیت
- ساختار هندسی نانولوله های کربنی
- یاختهی واحد گرافیت و نانولوله ی کربنی
- یاختهی واحد صفحه ی گرافیت
- یاخته واحد نانولوله ی کربنی
- محاسبه ساختار نواری گرافیت و نانولوله ی کربنی
- مولکولهای محدود
- ترازهای انرژی گرافیت
- ترازهای انرژی نانولوله ی کربنی
- چگالی حالات در نانولوله ی کربنی
- نمودار پاشندگی فونون ها در صفحه ی گرافیت و نانولوله های کربنی
- مدل ثابت نیرو و رابطه ی پاشندگی فونونی برای صفحه ی گرافیت
- رابطه ی پاشندگی فونونی برای نانولوله های کربنی
- پراکندگی الکترون فونون
- تابع توزیع الکترون
- محاسبه نرخ پراکندگی کل
- شبیه سازی پراکندگی الکترون – فونون
- ضرورت تعریف روال واگرد
- بحث و نتیجه گیری
- نرخ پراکندگی
- تابع توزیع در شرایط مختلف فیزیکی
- بررسی سرعت میانگین الکترونها، جریان، مقاومت و تحرک پذیری الکترون
- بررسی توزیع سرعت در نانولوله های زیگزاگ نیمرسانا
- بررسی جریان الکتریکی در نانولوله های زیگزاگ نیمرسانا
- بررسی مقاومت نانولوله های زیگزاگ نیمرسانا
- بررسی تحرک پذیری الکترون در نانولوله های زیگزاگ نیمرسانا
- نتیجه گیری
- پیشنهادات
- ضمیمه ی (الف) توضیح روال واگرد.
- منابع
- چکیده انگلیسی
...
آمار
وبلاگ:
